وزن
8 گرم
فرم فاکتور
M.2 2280
ابعاد
2.38 × 22.15 × 80.15 میلی متر
ظرفیت
500 گیگابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
نوع رابط
PCIe Gen3x4
معماری حافظه
Samsung V-NAND 3bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
480,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
550,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
میزان ساعت کار
1.5 میلیون ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1,500G
سری ساخت
MZ-V7S500BW
مصرف برق
5.8 وات
انتخاب کالا برای مقایسه