وزن
7 گرم
فرم فاکتور
M.2 2280
ابعاد
2.38 × 22.15 × 80 میلی متر
ظرفیت
500 گیگابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
نوع رابط
PCIe Gen3x4
معماری حافظه
Samsung V-NAND 3bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 14,000 IOPS Random (QD32): Up to 330,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 50,000 IOPS Random (QD32): Up to 330,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
میزان ساعت کار
1.5 میلیون ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G
سری ساخت
MZ-V6E500BW
مصرف برق
5.4 وات
انتخاب کالا برای مقایسه