وزن
60 گرم
فرم فاکتور
2.5 اينچ
ابعاد
6.8 × 69.85 × 100 میلی متر
ظرفیت
2 ترابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
نوع رابط
SATA III 6Gbp/s
معماری حافظه
Samsung V-NAND 3bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 10,000 IOPS Random (QD32): Up to 98,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 42,000 IOPS Random (QD32): Up to 90,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
قابلیت پشتیبانی از NCQ
ندارد
پشتیبانی از RAID
ندارد
میزان ساعت کار
1,500,000 ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G/0.5ms
سری ساخت
MZ-76E2T0BW
مصرف برق
میانگین 3.0 وات و حداکثر 4 وات
سایر مشخصات
دارای 2 گیگابایت حافظه رم از نوع LPDDR4
رمزگذاری 256 بیتی AES
دارای تراشه‌های 3D V-NAND سامسونگ
انتخاب کالا برای مقایسه