وزن
8 گرم
فرم فاکتور
M.2 2280
ابعاد
2.38 × 22.15 × 80.15 ميلی متر
ظرفیت
1 ترابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
نوع رابط
PCIe Gen3x4
معماری حافظه
Samsung V-NAND 3bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
3400 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 15,000 IOPS Random (QD32): Up to 370,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 50,000 IOPS Random (QD32): Up to 450,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
میزان ساعت کار
1,500,000 ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G/0.5ms
مصرف برق
میانگین 5.7 وات و حداکثر 10 وات
سایر مشخصات
معماری حافظه اختصاصی Samsung V-NAND 3-bit MLC
رمزگذاری 256 بیتی AES
انتخاب کالا برای مقایسه