وزن
9.7 گرم
فرم فاکتور
M.2 2280
ابعاد
2.2 × 22 × 80 میلی متر
ظرفیت
250 گیگابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
معماری حافظه
Samsung V-NAND 3bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 10,000 IOPS Random (QD32): Up to 97,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 42,000 IOPS Random (QD32): Up to 88,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
میزان ساعت کار
1.5 میلیون ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1,500G & 0.5ms
مصرف برق
میانگین 2.2 وات و حداکثر 4 وات
سایر مشخصات
دارای 500 مگابایت حافظه رم از نوع LPDDR4
رمزگذاری 256 بیتی AES
دارای تراشه‌های V-NAND 3bit سامسونگ
انتخاب کالا برای مقایسه