وزن
7 گرم
فرم فاکتور
2.5 اينچ
ابعاد
2.38 × 22.15 × 80 میلی متر
ظرفیت
250 گیگابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
نوع رابط
PCIe Gen3x4
معماری حافظه
Samsung V-NAND 3bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 14,000 IOPS Random (QD32): Up to 330,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 50,000 IOPS Random (QD32): Up to 300,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
میزان ساعت کار
1.5 میلیون ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1500G
مصرف برق
5.3 وات
انتخاب کالا برای مقایسه