وزن
8 گرم
فرم فاکتور
M.2 2280
ابعاد
2.3 × 22 × 80 ميلی متر
ظرفیت
1 ترابایت
نوع حافظه
حافظه اس اس دی
نوع رابط
PCIe Gen3x4
معماری حافظه
Samsung V-NAND 2bit MLC
سرعت خواندن اطلاعات
3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات
2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 15,000 IOPS Random (QD32): Up to 500,000 IOPS
سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی
Random (QD1): Up to 55,000 IOPS Random (QD32): Up to 500,000 IOPS
پشتیبانی از TRIM
دارد
میزان ساعت کار
1.5 میلیون ساعت
مقاوم در برابر شوک
دارد
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
1,500G & 0.5 ms
مصرف برق
میانگین 5.7 وات و حداکثر 8.5 وات
سایر مشخصات
معماری حافظه اختصاصی Samsung V-NAND 2-bit MLC
انتخاب کالا برای مقایسه